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ASIC中心孙伟锋教授团队参加第30届国际功率半导体器件与集成电路年会
发布时间:2018-05-18  访问次数:630

2018年5月13日至5月18日,十大网赌网址国家ASIC工程技术研究中心孙伟峰教授和8名师生团队赴美国芝加哥参加第30届国际动力半导体研讨会(国际电力学术研讨会)半导体)。设备和IC(ISPSD)。该会议是由IEEE电子器件协会(EDS),IEEE电子电子学会(PELS)和IEE日本(IEEJ)联合举办的功率半导体国际顶级会议,代表了全球功率器件和功率IC的最高水平研究。

今年ASIC工程中心提交的六篇论文全部被接受,其中包括两份口头报告(口头)和四份海报(海报),这是2012年,2013年,2015年和2016年团队返回后的100%。成功率招聘率得到了国际同行的高度认可。这次接受的六篇论文涵盖了许多热门研究课题,如功率集成设备,智能功率集成电路和宽带隙功率器件。其中,陆阳阳博士的“具有超低传播延迟的增强型GaN器件的600V高侧栅极驱动电路”是中国大陆第一篇关于ISPSD功率集成电路方向的文章。师生们与国际同行进行了广泛而深入的交流,充分展示了团队的研究成果,得到了与会者的一致好评!

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